CRG40T120AK3S
公司以功率半導體器件、功率/模擬集成電路為產業基礎，面向工業電子、消費電子、汽車電子、5G通訊市場。具備功率器件、GaN、MEMS傳感器等技術開發和制造平臺，并可提供高可靠性功率器件、模塊等產品和應用方案。公司開發的低壓、中壓和高壓功率器件產品，可廣泛應用于電動車、太陽能，汽車電子、手機快充、白色家電、通用開關、電源等行業。
IGBT類型： -
集射極擊穿電壓(Vces)： 1.2kV
集電極電流(Ic) ：80A
功率(Pd)： 333W
正向壓降(Vf@If)： 2.4V@20A
集射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Vge)： 1.9V@10A,15V
柵極閾值電壓(Vge(th)@Ic) ：6V@250uA
柵極電荷(Qg@Ic,Vge) ：208nC@40A,15V
輸入電容(Cies@Vce) ：6.618nF@25V
開啟延遲時間(Td(on))： 77ns
關斷延遲時間(Td(off)) ：238ns
導通損耗(Eon)：2.8mJ
關斷損耗(Eoff)：1.5mJ
反向恢復時間(Trr)：80ns
工作溫度：-