FGH60N60SMD

安森美半導體 (onsemi) 致力于推動高能效電子的創新,使客戶能夠減少全球的能源使用。安森美半導體領先于供應基于半導體的方案,提供全面的高能效電源管理、模擬、傳感器、邏輯、時序、互通互聯、分立、系統單芯片(SoC)及定制器件陣容。公司的產品幫助工程師解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業及醫療應用的獨特設計挑戰。公司運營敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質項目,一套強有力的守法和道德規范計劃,及在北美、歐洲和亞太地區之關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處及設計中心在內的業務網絡。

IGBT類型FS(場截止)    

集射極擊穿電壓(Vces)600V    

集電極電流(Ic)120A    

功率(Pd)600W    

柵極閾值電壓(Vge(th)@Ic)2.5V@15V,60A    

柵極電荷(Qg@Ic,Vge)189nC    

輸入電容(Cies@Vce) -    

開啟延遲時間(Td(on)) 18ns    

關斷延遲時間(Td(off))104ns    

導通損耗(Eon)1.26mJ    

關斷損耗(Eoff)0.45mJ    

反向恢復時間(Trr)39ns    

工作溫度:-55℃~+175℃@(Tj)    


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